本文仅针对CSK5062特别的关注点做点检提示，常规电路设计、布局布线不在此列。
1、GPIOA_00_TXD / GPIOA_01_RXD 测试点
用于串口烧录：先将 GPIOA_00_TXD 拉低，然后上电，最后再释放 GPIOA_00_TXD，此时芯片将进入固件烧录模式。
2、GPIOA_00_TXD /GPIOA_01_RXD 5V 电平适配
若上位机要求串口电平配置为 5V: Rpu≤10K 上拉到 5V，且其软件配置需为 OD 模式；
若上位机要求串口电平配置为 3.3V，Ru=NC，且其软件配置需为推挽模式。
注意：
串口波特率不要大于 115200bps
其他位置串口无 5V 输入能力，需确认是否需要额外电平转换
3、TX / RX 串联电阻
推荐 RX / TX 上分别串接 100Ω～1KΩ 的电阻进行隔离和 EOS 防护。
注意：
如接口静电要求高，还可加 ESD 管防护
4、I2S_REC 测试点
用于研发阶段 log 录音数据 DEBUG，若PCB空间许可建议保留测试点。
5、MIC输入回路串电阻
麦克电路采用伪差分设计，通过在芯片附近串联1K电阻，可增强抗EOS能力。若客户对ESD性能有严格要求，可在麦克入口处增设ESD管以提升防护效果。
6、MIC偏置电压上RC滤波
RC构成低通滤波器滤除麦克的偏置电源噪声，如电源品质欠佳，需降低转折频率。
7、SPK为ClassD EMI滤波
芯片内置ClassD功率放大器（PA）输出。
若对EMI性能有较高要求，建议增加磁珠和电容组成的滤波器，磁珠规格推荐为600Ω@100Mhz，电流承载能力1A以上。具体选型需根据整机EMC调试结果进行优选。
此外，也可采用LC滤波方案，建议将其放置在客户主板上，尽量靠近模组SPK PAD位置。
8、 SPK ESD防护
如对整机SPK处ESD性能较高，需在SPK出口处增加ESD管。
9、5V供电
推荐5V±10%/≥1A；纹波噪声＜100mV。
10、电源浪涌防护
为预防浪涌，推荐增加电源输入浪涌TVS管防护，以免浪涌电压损伤芯片；
1、地面完整
芯片下方地面完整并直接连接Pin3、Pin14，减小回路降低阻抗，以保证电源信号完整性；
2、Vio、Vm电源Bypass
Pin7、Pin8的外部bypass电容靠近对应电源pin放置，退耦回路长度不大于6mm，宽度不小于0.3mm；
3、VCORE电源Bypass
电容接地端与pin14的接地回路走线长度不大于4mm，宽度不小于0.3mm；
4、MIC布局布线
走线尽可能短和顺，远离其他走线等干扰源，做好包地保护；
5、ClassD 步线
尽可能短和顺，线宽＞0.45mm，做好包地保护，减少对其他部件的干扰。